| Поле | Инд. | ПП | Название | Значение |
|---|---|---|---|---|
| Тип записи | a | |||
| Библиографический уровень | m | |||
| 001 | Контрольный номер | RU\LSL\Books\2538747 | ||
| 005 | Дата корректировки | 20150513112020.8 | ||
| 008 | Кодируемые данные | 090609s2009 RU a z ||| 1|rus u | ||
| 020 | a | ISBN | 978-5-9221-1069-3 | |
| 040 | c | Служба, преобразующая запись | 42013097 | |
| d | Организация, изменившая запись | НБ ТвГУ | ||
| 041 | a | Код языка текста | rus | |
| 044 | a | Код страны публикации | RU | |
| 080 | a | Индекс УДК | 537.311.322:539.23 | |
| 084 | a | Индекс другой классификации/Индекс ББК | В379.2 | |
| 084 | a | Индекс другой классификации/Индекс ББК | З843.3 | |
| 090 | a | Полочн. индекс | В379.2 | |
| x | Авторский знак | Д 79 | ||
| 100 | 1_ | a | Автор | Дубровский Владимир Германович |
| q | Полное имя | Дубровский В. Г. | ||
| 245 | 00 | a | Заглавие | Теория формирования эпитаксиальных наноструктур |
| 260 | a | Место издания | Москва | |
| b | Издательство | ФИЗМАТЛИТ | ||
| c | Дата издания | 2009 | ||
| 300 | a | Объем | 350 с. | |
| b | Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. | ||
| c | Размеры | 22 см | ||
| 440 | _0 | a | Серия | Фундаментальная и прикладная физика |
| 504 | a | Библиография | Библиогр.: с. 338-350 (350 назв.) | |
| 520 | a | Аннотация | В книге подробно рассматривается кинетическая теория формирования полупроводниковых наноструктур на поверхности твердого тела, описываются основные физические концепции и модели процессов образования эпитаксиальных пленок, квантовых точек и нитевидных нанокристаллов (нановискеров). Излагаются основы теории нуклеации и конденсации и возможности ее применения для моделирования ростовых процессов, морфологии и физических свойств эпитаксиальных наноструктур . Особое внимание уделяется теоретическим моделям формирования квантовых точек и нановискеров полупроводниковых соединений III-V. Результаты расчетов сравниваются с экспериментальными данными, полученными для различных систем материалов и условий осаждения. Никаких предварительных знаний по теории нуклеации, физической кинетике, физике поверхностных явлений не требуется, все необходимые сведения приведены в тексте. | |
| Д | ля студентов, бакалавров и аспирантов, специализирующихся в области физики, материаловедения и некоторых других технических дисциплин, а также для ученых и инженеров, желающих глубже понять теоретические основы современной физики и технологии наноструктур. | |||
| 653 | a | Ключевые слова | Квантовые точки | |
| a | Ключевые слова | Нановискеры | ||
| a | Ключевые слова | Наноструктуры | ||
| a | Ключевые слова | Нитевидные нанокристаллы | ||
| a | Ключевые слова | Полупроводники | ||
| a | Ключевые слова | Полупроводниковые наноструктуры | ||
| a | Ключевые слова | Рост наноструктур | ||
| a | Ключевые слова | Рост тонких пленок | ||
| a | Ключевые слова | Тонкие пленки | ||
| a | Ключевые слова | Фазовые превращения | ||
| a | Ключевые слова | Физика наноструктур | ||
| a | Ключевые слова | Формирование наноструктур | ||
| a | Ключевые слова | Эпитаксиальные наноструктуры | ||
| a | Ключевые слова | Эпитаксиальные пленки | ||
| 901 | t | Тип документа | m | |
| 920 | a | Оператор | Стру | |
| 952 | c | Вид литературы | К рн | |
| 954 | a | Дата поступления на обработку | 20110330 |