| Поле | Инд. | ПП | Название | Значение |
|---|---|---|---|---|
| Тип записи | a | |||
| Библиографический уровень | m | |||
| 001 | Контрольный номер | 004974453 | ||
| 005 | Дата корректировки | 20150513113607.6 | ||
| 008 | Кодируемые данные | 110718s2011 a zzzz 000 1 rusdu | ||
| 020 | a | ISBN | 978-5-9963-0302-1 | |
| 040 | a | Служба первич. каталог. | НБ ТвГУ | |
| d | Организация, изменившая запись | RuMoRGB | ||
| e | Правила каталог. | rcr | ||
| 041 | a | Код языка текста | rus | |
| h | Код языка оригинала | eng | ||
| 080 | a | Индекс УДК | 537.226.4 | |
| 084 | a | Индекс другой классификации/Индекс ББК | В379.331 | |
| 090 | a | Полочн. индекс | В379.3 | |
| x | Авторский знак | Ф 50 | ||
| 245 | 10 | a | Заглавие | Физика сегнетоэлектриков |
| b | Продолж. заглавия | современный взгляд | ||
| c | Ответственность | под ред. К. М. Рабе, Ч. Г. Ана, Ж.-М. Трискона ; пер. с англ. Б. А. Струкова, А. И. Лебедева | ||
| 246 | _5 | a | Другая форма заглавия | Physics of Ferroelectrics: A Modern Perspective |
| 260 | a | Место издания | Москва | |
| b | Издательство | Бином. Лаборатория знаний | ||
| c | Дата издания | 2011 | ||
| 300 | a | Объем | 440 с. | |
| b | Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. | ||
| c | Размеры | 24 см | ||
| 500 | a | Примечание | Доп. тит. л. на англ. яз. | |
| 504 | a | Библиография | Библиогр. в конце гл. | |
| 520 | a | Аннотация | Книга содержит семь аналитических обзоров ведущих ученых Европы и США. Материал дает представление о важных изменениях, произошедших в физике сегнетоэлектриков за последние 20 лет. Рассматриваются концептуальные достижения теории сегнетоэлектричества, новые технологии получения тонких эпитаксиальных пленок оксидных сегнетоэлектриков и сверхрешеток и методы их исследования. Описываются результаты теоретических и экспериментальных исследований размерных эффектов в тонких и сверхтонких сегнетоэлектрических пленках, сегнетоэлектрических наночастицах и нанотрубках. Приводятся результаты изучения доменных стенок в тонких сегнетоэлектрических пленках, а также данные по исследованию мультиферроиков. Полученные сведения позволяют использовать сегнетоэлектрики в электронике и других областях техники, в том числе для создания сегнетоэлектрических энергонезависимых запоминающих устройств (FRAM) и диэлектрических слоев в интегральных схемах. | |
| Д | ля практических специалистов и научных работников. | |||
| 653 | a | Ключевые слова | Сегнетоэлектрики | |
| a | Ключевые слова | Физика сегнетоэлектриков | ||
| 700 | 1_ | a | Другие авторы | Рабе Карин М. |
| q | Полное имя | Рабе, К. М. | ||
| 700 | 1_ | a | Другие авторы | Ан Чарльз Г. |
| q | Полное имя | Ан, Ч. Г. | ||
| 700 | 1_ | a | Другие авторы | Лихтенштайгер Селина |
| q | Полное имя | Лихтенштайгер, С. | ||
| 700 | 1_ | a | Другие авторы | Трискон Жан-Марк |
| q | Полное имя | Трискон, Ж.-М. | ||
| 700 | 1_ | a | Другие авторы | Струков Борис Анатольевич |
| e | Роль лиц | пер., авт. предисл. | ||
| 700 | 1_ | a | Другие авторы | Лебедев Андрей Иванович |
| e | Роль лиц | пер., авт. предисл. | ||
| 901 | t | Тип документа | m | |
| 920 | a | Оператор | Стру | |
| 952 | c | Вид литературы | К рн | |
| 954 | a | Дата поступления на обработку | 20120306 | |
| c | Дата окончания ОНО | 20130405 |