Представление документа в формате MARC21

Поле Инд. ПП Название Значение
Тип записи a
Библиографический уровень a
001 Контрольный номер 3549b3140a7d4068a6dac416439d11db
005 Дата корректировки 20180409143752.1
020 a ISBN 978-5-7609-0877-3
040 a Служба первич. каталог. НБ ТвГУ
b Код языка каталог. rus
e Правила каталог. PSBO
041 0_ a Код языка текста rus
097 b Оператор novikova
100 1_ a Автор Морченко Александр Тимофеевич
q Полное имя Морченко А. Т.
245 10 a Заглавие К анализу построения датчика магнитного поля на основе недиагонального магнитоимпеданса
260 a Место издания Тверь
b Издательство Тверской государственный университет
504 a Библиография Библиогр.: с. 186 (4 назв.)
520 0_ a Аннотация Эффект магнитного импеданса, величина которого достигает 600%/Э, является весьма перспективным для создания высокочувствительных магнитных датчиков. Причем предпочтительным является использование недиагональной схемы возбуждения магнитоимпедансного элемента в силу линейности его сигнала по отношению к внешнему магнитному полю. В работе проводится анализ работы датчика магнитного поля на аморфном микропроводе, использующего недиагональную конфигурацию сенсорного элемента.
653 0_ a Ключевые слова Недиагональный магнитный импеданс
a Ключевые слова Датчик магнитного поля
a Ключевые слова Аморфный микропровод
a Ключевые слова Импульсное возбуждение сенсорного элемента
700 12 a Другие авторы Панина Лариса Владимировна
q Полное имя Панина Л. В.
773 18 w Контрольный № источника b125ed9d40bf48e5b6496ef88a3be752
t Название источника Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов
d Место и дата издания Тверь : Тверской государственный университет , 2013
g Прочая информация Вып. 5. - С. 180-186
856 40 u URL http://texts.lib.tversu.ru/texts/11857t.pdf
x Примечание для ЭОР Справка УИС 2016
i Дата подключения ЭОР 20170426
x Примечание для ЭОР Реестр суммарного учета сетевых локальных документов
900 a Имя макрообъекта 11857t
901 t Тип документа a
920 a Оператор Нови