| Поле | Инд. | ПП | Название | Значение |
|---|---|---|---|---|
| Тип записи | a | |||
| Библиографический уровень | a | |||
| 001 | Контрольный номер | 7af1180cda0f40cbb8e2941de4605644 | ||
| 005 | Дата корректировки | 20230412153529.5 | ||
| 040 | a | Служба первич. каталог. | НБ ТвГУ | |
| b | Код языка каталог. | rus | ||
| e | Правила каталог. | PSBO | ||
| 041 | 0_ | a | Код языка текста | rus |
| 097 | b | Оператор | Komarova.ES | |
| 100 | 1_ | a | Автор | Лапин Вячеслав Анатольевич |
| q | Полное имя | Лапин В. А. | ||
| 245 | 10 | a | Заглавие | Выращивание гетероструктур InAlN/Si с высоким содержанием In |
| 260 | a | Место издания | Тверь | |
| b | Издательство | Тверской государственный университет | ||
| 504 | a | Библиография | Библиогр.: с. 173-174 (10 назв.) | |
| 520 | 0_ | a | Аннотация | Пленки InAlN на Si (111) были получены с помощью ионно-лучевого осаждения с различными технологическими параметрами роста. Результаты исследования выращенных пленок методом сканирующей электронной микроскопии использовались для выявления условий получения сплошных пленок InAlN. Вследствие рассогласования параметров решетки пленки и подложки, рост имеет островковый характер, сплошную пленку удалось получить только при следующих технологических параметрах: Уровень энергии пучка U = 600 эВ при ионном токе пучка ji = 32 мА, с током нейтрализации пучка jn = 16 мА, температура подложки 400°С. С повышением концентрации азота до 80-90% в газовой смеси происходил переход от островкового к эпитаксиальному механизму роста. Соотношение элементов In, Al и N в пленке показало, активная плазма ионного пучка срывает слабосвязанные ионы и оставляет только нормально встроенные атомы азота N -3 , но чрезмерно сильное воздействие приводит к металлизации пленок. |
| 653 | 0_ | a | Ключевые слова | Гетероэпитаксия |
| a | Ключевые слова | InAlN | ||
| a | Ключевые слова | Ионно-лучевое осаждение | ||
| a | Ключевые слова | Элементный анализ | ||
| a | Ключевые слова | Сканирующая электронная микроскопия | ||
| a | Ключевые слова | Гетероструктуры | ||
| 700 | 12 | a | Другие авторы | Касьянов Иван Владимирович |
| q | Полное имя | Касьянов И. В. | ||
| 773 | 18 | w | Контрольный № источника | 66a126a75abb4d72ab29be0848caee22 |
| t | Название источника | Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов | ||
| d | Место и дата издания | Тверь : Тверской государственный университет, 2022 | ||
| g | Прочая информация | Вып. 14. - С. 168-175 | ||
| 856 | 40 | u | URL | http://texts.lib.tversu.ru/texts/152913t.pdf |
| x | Примечание для ЭОР | Справка УИС 2022 | ||
| x | Примечание для ЭОР | Реестр суммарного учета сетевых локальных документов | ||
| i | Дата подключения ЭОР | 20230412 | ||
| 901 | t | Тип документа | a | |
| 920 | a | Оператор | Кома | |
| 954 | b | Дата поступления в ОК | 20230403 |