| Поле | Инд. | ПП | Название | Значение |
|---|---|---|---|---|
| Тип записи | a | |||
| Библиографический уровень | a | |||
| 001 | Контрольный номер | 075ae7195c344122964cbc6b600a51ee | ||
| 005 | Дата корректировки | 20230418150920.5 | ||
| 040 | a | Служба первич. каталог. | НБ ТвГУ | |
| b | Код языка каталог. | rus | ||
| e | Правила каталог. | PSBO | ||
| 041 | 0_ | a | Код языка текста | rus |
| 097 | b | Оператор | Komarova.ES | |
| 245 | 10 | a | Заглавие | Влияние режимов вакуумно-плазменной обработки на поверхностную фото-ЭДС монокристаллического кремния |
| 260 | a | Место издания | Тверь | |
| b | Издательство | Тверской государственный университет | ||
| 504 | a | Библиография | Библиогр.: с. 675-676 (11 назв.) | |
| 520 | 0_ | a | Аннотация | Плазменные технологии в последней четверти ХХ века совершили настоящую научно-технологическую революцию в микроэлектронике. Придя в мир технологии микроэлектроники в качестве необходимой альтернативы жидкостному травлению, исчерпавшему к тому времени свой ресурс, плазменные или «сухие» технологии стали основным инструментом создания элементов изделий электронной техники. XXI век, несомненно, начался и протекает под знаком совершенствования таких технологий в твердотельной электронике. Плазменные технологии включают совокупность методов нанесения тонких и сверхтонких слоев на подложку полупроводника, а также комплекс методов размерного травления таких слоев с заданными параметрами травления. Если рассматривать методики размерного травления с использованием сухих технологий, то всегда следует учитывать, что весь спектр таких методов широк. Одни способы, такие как радикальное и плазмохимическое травление, подразумевают мягкое, чисто химическое взаимодействие плазменной среды с материалом подложки, результатом чего является образование летучего продукта травления и его удаление (откачка) из плазменного объема. Другая группа «сухих» методик включает способы чисто физического воздействия высокоэнергетических частиц плазмы на поверхность материала и удаление атомов с поверхности только в результате распыления материала. Методом поверхностной фото-ЭДС исследована реальная поверхность монокристаллического кремния pтипа в интервале температур T 289-473 K до и после плазменной обработки. Обнаружено существенное различие спектров поверхностных электронных состояний, полученных при нагревании и охлаждении образцов. Нагрев приводит к десорбции газов и диссоциации молекул воды в поверхностном слое, что уменьшает поверхностный потенциал на порядок. |
| 653 | 0_ | a | Ключевые слова | Нальчик, город |
| a | Ключевые слова | Плазма | ||
| a | Ключевые слова | Фото-ЭДС | ||
| a | Ключевые слова | Плазменная обработка поверхности | ||
| a | Ключевые слова | Кремний | ||
| a | Ключевые слова | Поверхностные электронные состояния | ||
| 700 | 12 | a | Другие авторы | Нагаплежева Рузанна Руслановна |
| q | Полное имя | Нагаплежева Р. Р. | ||
| 700 | 12 | a | Другие авторы | Оракова Мариям Мустафаевна |
| q | Полное имя | Оракова М. М. | ||
| 700 | 12 | a | Другие авторы | Кушхова Марианна Юрьевна |
| q | Полное имя | Кушхова М. Ю. | ||
| 700 | 12 | a | Другие авторы | Цеева Фатимат Мухамедовна |
| q | Полное имя | Цеева Ф. М. | ||
| 700 | 12 | a | Другие авторы | Мишаев Хусеин Азаматович |
| q | Полное имя | Мишаев Х. А. | ||
| 773 | 18 | w | Контрольный № источника | 66a126a75abb4d72ab29be0848caee22 |
| t | Название источника | Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов | ||
| d | Место и дата издания | Тверь : Тверской государственный университет, 2022 | ||
| g | Прочая информация | Вып. 14. - С. 671-677 | ||
| 856 | 40 | u | URL | http://texts.lib.tversu.ru/texts/152961t.pdf |
| x | Примечание для ЭОР | Справка УИС 2022 | ||
| x | Примечание для ЭОР | Реестр суммарного учета сетевых локальных документов | ||
| i | Дата подключения ЭОР | 20230418 | ||
| 901 | t | Тип документа | a | |
| 920 | a | Оператор | Кома | |
| 954 | b | Дата поступления в ОК | 20230405 |