Поле |
Инд. |
ПП |
Название |
Значение |
|
|
|
Тип записи |
a |
|
|
|
Библиографический уровень |
a |
001 |
|
|
Контрольный номер |
a59d33c1a2ff407d92949c78a45896da |
005 |
|
|
Дата корректировки |
20240314155918.5 |
040 |
|
a |
Служба первич. каталог. |
НБ ТвГУ |
|
|
b |
Код языка каталог. |
rus |
|
|
e |
Правила каталог. |
PSBO |
041 |
0_ |
a |
Код языка текста |
rus |
097 |
|
b |
Оператор |
Komarova.ES |
098 |
|
b |
Факультет |
Физико-технический |
|
|
c |
Кафедра |
Физики конденсированного состояния |
245 |
10 |
a |
Заглавие |
Гистерезисные свойства монокристаллических твердых растворов PIN-PMN-PT |
260 |
|
a |
Место издания |
Тверь |
|
|
b |
Издательство |
Тверской государственный университет |
504 |
|
a |
Библиография |
Библиогр.: с. 72-73 (16 назв.) |
520 |
0_ |
a |
Аннотация |
В работе представлены результаты исследования гистерезисных свойств твёрдых растворов 24% Pb(In1/2Nb1/2)O3 – 49% Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 – 27% PbTiO3, полученные при регистрации петель диэлектрического гистерезиса и температурных зависимостей переключаемой поляризации. Экспериментально установлено, что при T = 293 K и напряженностях переполяризующего поля E = (140 – 301)·103 В·м-1 происходит лишь частичное переключение кристалла. В поле 271·103 В·м-1 насыщенные петли диэлектрического гистерезиса для кристаллов наблюдаются в двух интервалах температур 373-383 K и 437-440 K. Температурные зависимости диэлектрической проницаемости и переключаемой поляризации имеют две аномалии, первые из которых соответствуют области фазового перехода кристалла из сегнетоэлектрической ромбоэдрической фазы в тетрагональную. При температуре порядка 450 K кристалл переходит в параэлектрическое состояние. Электронномикроскопические исследования структуры кристаллов показывают, что различные участки поверхности содержат неоднородности, отличающиеся по композиционному контрасту от матрицы, представленной химическими элементами, основной массовый процент которых составляют кислород и свинец. В элементный состав неоднородностей входит также титан. |
653 |
0_ |
a |
Ключевые слова |
Наноструктуры |
|
|
a |
Ключевые слова |
Физика |
|
|
a |
Ключевые слова |
Формулы |
|
|
a |
Ключевые слова |
Труды Тверского государственного университета |
|
|
a |
Ключевые слова |
Тверь, город |
|
|
a |
Ключевые слова |
Монокристаллический твердый раствор |
700 |
12 |
a |
Другие авторы |
Большакова Н. Н. |
700 |
12 |
a |
Другие авторы |
Дружинина Н. Ю. |
700 |
12 |
a |
Другие авторы |
Иванова А. И. |
700 |
12 |
a |
Другие авторы |
Иванов Д. А. |
700 |
12 |
a |
Другие авторы |
Семенова Е. М. |
773 |
18 |
w |
Контрольный № источника |
3de2680f60bd46b1bd796c3bdd210329 |
|
|
t |
Название источника |
Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов |
|
|
d |
Место и дата издания |
Тверь : Тверской государственный университет, 2023 |
|
|
g |
Прочая информация |
Вып. 15. - С. 64-74 |
856 |
40 |
u |
URL |
http://texts.lib.tversu.ru/texts/153570t.pdf |
|
|
x |
Примечание для ЭОР |
Справка РИУ 2023 |
|
|
x |
Примечание для ЭОР |
Реестр суммарного учета сетевых локальных документов |
|
|
i |
Дата подключения ЭОР |
20240314 |
901 |
|
t |
Тип документа |
a |
920 |
|
a |
Оператор |
Кома |
954 |
|
b |
Дата поступления в ОК |
20240221 |