| Поле | Инд. | ПП | Название | Значение |
|---|---|---|---|---|
| Тип записи | a | |||
| Библиографический уровень | a | |||
| 001 | Контрольный номер | d3370647c32e4c6ea3ecd03cf3196bbd | ||
| 005 | Дата корректировки | 20240319153954.1 | ||
| 040 | a | Служба первич. каталог. | НБ ТвГУ | |
| b | Код языка каталог. | rus | ||
| e | Правила каталог. | PSBO | ||
| 041 | 0_ | a | Код языка текста | rus |
| 097 | b | Оператор | Komarova.ES | |
| 100 | 1_ | a | Автор | Девицкий Олег Васильевич |
| q | Полное имя | Девицкий О. В. | ||
| 245 | 10 | a | Заглавие | Влияние содержания висмута на структурные и электронные свойства GaAs1-yBiy: расчеты из первых принципов |
| 260 | a | Место издания | Тверь | |
| b | Издательство | Тверской государственный университет | ||
| 504 | a | Библиография | Библиогр.: с. 409-411 (18 назв.) | |
| 520 | 0_ | a | Аннотация | Представлено теоретическое исследование влияния концентрации висмута на структурные и электронные свойства твердого раствора GaAs1-yBiy с использованием теории функционала плотности в программном пакете VASP 5.4.4. Результаты исследования показали, что фундаментальная запрещенная зона GaAs1-yBiy увеличение концентрации висмута приводит к увеличению постоянной решетки GaAs1-yBiy, что вызывает внутреннюю асимметрию и снижению длинны связи Ga-Bi. Показано, что при увеличении количества замещающих атомы As атомов Bi в узлах кристаллической решетки наблюдается искажение положения соседних атомов Ga и уменьшение длины связи Ga-As. Установлено, что эти изменения обусловлены влиянием соседнего атома Bi, который влияет на длину связи Ga-Bi и снижает её длину вплоть до 2,6133 A при y равном 12,5%. Угол между связями Ga-Bi и Ga-Bi наоборот увеличивается при увеличении концентрации Bi и может достигать максимального значения в 110,9256°. Совокупность подобных структурных изменений кристаллической решетки GaAs1-yBiy в дальнейшем приводят к возникновению потенциальных дефектов в виде кластеризации атомов Bi или смещения атома Bi положение интерстиции. Установлено, что наиболее стабильной конфигурацией обладают суперячейки GaAs1-yBiy с концентрацией атомов Bi до 12,5%. Ширина запрещенной зоны твердого раствора GaAs1-yBiy уменьшается от 1,283 эВ до 0,712 эВ с увеличением концентрации висмута от 1,85 мол.% до 12,5 мол.%. Полученные значения ширины запрещенной зоны в целом близки к известным литературным данным. Это показывает, что прямая запрещенная зона этого сплава охватывает спектральную область от ближнего инфракрасного до инфракрасного диапазона. |
| 653 | 0_ | a | Ключевые слова | Инфракрасный диапазон |
| a | Ключевые слова | Ставрополь, город | ||
| a | Ключевые слова | III-V-Bi | ||
| a | Ключевые слова | Электронная структура | ||
| a | Ключевые слова | Теория функционала плотности | ||
| a | Ключевые слова | Ширина запрещенной зоны | ||
| 773 | 18 | w | Контрольный № источника | 3de2680f60bd46b1bd796c3bdd210329 |
| t | Название источника | Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов | ||
| d | Место и дата издания | Тверь : Тверской государственный университет, 2023 | ||
| g | Прочая информация | Вып. 15. - С. 404-411 | ||
| 856 | 40 | u | URL | http://texts.lib.tversu.ru/texts/153606t.pdf |
| x | Примечание для ЭОР | Справка РИУ 2023 | ||
| x | Примечание для ЭОР | Реестр суммарного учета сетевых локальных документов | ||
| i | Дата подключения ЭОР | 20240319 | ||
| 901 | t | Тип документа | a | |
| 920 | a | Оператор | Кома | |
| 954 | b | Дата поступления в ОК | 20240222 |