| Поле | Инд. | ПП | Название | Значение |
|---|---|---|---|---|
| Тип записи | a | |||
| Библиографический уровень | a | |||
| 001 | Контрольный номер | 742a9d4239f543c7897bc55912a2bc4e | ||
| 005 | Дата корректировки | 20240319160229.6 | ||
| 040 | a | Служба первич. каталог. | НБ ТвГУ | |
| b | Код языка каталог. | rus | ||
| e | Правила каталог. | PSBO | ||
| 041 | 0_ | a | Код языка текста | rus |
| 097 | b | Оператор | Komarova.ES | |
| 100 | 1_ | a | Автор | Кузнецов Юрий Александрович |
| q | Полное имя | Кузнецов Ю. А. | ||
| 245 | 10 | a | Заглавие | Адсорбция Ge НА W(100): расчет |
| 260 | a | Место издания | Тверь | |
| b | Издательство | Тверской государственный университет | ||
| 504 | a | Библиография | Библиогр.: с. 469-470 (22 назв.) | |
| 520 | 0_ | a | Аннотация | Впервые проведен расчет адсорбции атомов германия на поверхности грани (100) вольфрама методом функционала плотности. Подложка вольфрама была выполнена как 2D-слой. 2D-слой W моделировался суперъячейкой W(100) 2?2?2. Расчет электронной плотности состояния и энергии адсорбции атома Ge проводился для трех мест адсорбции атома Ge: в ямочной позиции, в мостиковой позиции между поверхностными атомами W и над поверхностным атомом W. Один атом Ge приходился на 8 поверхностных атомов W. Наиболее предпочтительно адсорбция атома германия в ямочной позиции. Энергия адсорбции составляет значительную величину: 6,38 эВ. Адсорбция атомов Ge приводит к незначительной реконструкции поверхности W: максимальный сдвиг атомов W не превышает 0,15 A. Валентная зона 2D-слоя W(100) сформирована в основном W 5d электронами, с незначительным вкладом W 6s электронов. Зона Ge образована Ge 4p и Ge 4s электронами. |
| 653 | 0_ | a | Ключевые слова | Санкт-Петербург, город |
| a | Ключевые слова | Адсорбция | ||
| a | Ключевые слова | Электронная структура | ||
| a | Ключевые слова | Интерфейс | ||
| a | Ключевые слова | Германий | ||
| a | Ключевые слова | Вольфрам | ||
| 700 | 12 | a | Другие авторы | Лапушкин Михаил Николаевич |
| q | Полное имя | Лапушкин М. Н. | ||
| 773 | 18 | w | Контрольный № источника | 3de2680f60bd46b1bd796c3bdd210329 |
| t | Название источника | Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов | ||
| d | Место и дата издания | Тверь : Тверской государственный университет, 2023 | ||
| g | Прочая информация | Вып. 15. - С. 465-471 | ||
| 856 | 40 | u | URL | http://texts.lib.tversu.ru/texts/153612t.pdf |
| x | Примечание для ЭОР | Справка РИУ 2023 | ||
| x | Примечание для ЭОР | Реестр суммарного учета сетевых локальных документов | ||
| i | Дата подключения ЭОР | 20240319 | ||
| 901 | t | Тип документа | a | |
| 920 | a | Оператор | Кома | |
| 954 | b | Дата поступления в ОК | 20240222 |