| Поле | Инд. | ПП | Название | Значение |
|---|---|---|---|---|
| Тип записи | a | |||
| Библиографический уровень | a | |||
| 001 | Контрольный номер | dff3f644ddde4a139491efb4024bc324 | ||
| 005 | Дата корректировки | 20250828170224.0 | ||
| 040 | a | Служба первич. каталог. | НБ ТвГУ | |
| b | Код языка каталог. | rus | ||
| e | Правила каталог. | PSBO | ||
| 041 | 0_ | a | Код языка текста | rus |
| 097 | b | Оператор | Komarova.ES | |
| 098 | b | Факультет | Физико-технический | |
| 100 | 1_ | a | Автор | Лапушкин Михаил Николаевич |
| q | Полное имя | Лапушкин М. Н. | ||
| 245 | 10 | a | Заглавие | Адсорбция бария на поверхности GaN(0001) |
| 260 | a | Место издания | Тверь | |
| b | Издательство | Тверской государственный университет | ||
| 504 | a | Библиография | Библиогр.: с. 216-218 (19 назв.) | |
| 520 | 0_ | a | Аннотация | Впервые проведен расчет адсорбции атомов бария на поверхности грани (0001) GaN методом функционала плотности. 2D-слой GaN моделировался суперъячейкой GaN(0001) 2?2 содержащих 10 бислоя GaN. Расчет электронной плотности состояния и энергии адсорбции атома Ba проводился для пяти мест адсорбции атома Ba: в ямочной позиции, в мостиковых позициях между поверхностными атомами Ga (N) и над поверхностным атомом Ga (N). Один атом Ba приходился на 4 поверхностных атомов Ga в первом бислое GaN. Наиболее предпочтительно адсорбция атома бария над поверхностным атомом N. Энергия адсорбции составляет величину: 2,96 эВ. Адсорбция атомов Ba приводит к незначительной реконструкции поверхности GaN: максимальный сдвиг слоя атомов Ga (N) не превышает 0,11 A. Адсорбция Ba приводит к образованию поверхностной зоны ниже уровня Ферми. |
| 653 | 0_ | a | Ключевые слова | Атомы |
| a | Ключевые слова | Химия | ||
| a | Ключевые слова | Санкт-Петербург, город | ||
| a | Ключевые слова | Метод функционала плотности | ||
| a | Ключевые слова | Электронная структура | ||
| a | Ключевые слова | Интерфейс | ||
| a | Ключевые слова | Труды Тверского государственного университета | ||
| 773 | 18 | w | Контрольный № источника | d2fe61835b6d45e68f4e7a89a6ff6903 |
| t | Название источника | Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов | ||
| d | Место и дата издания | Тверь : Тверской государственный университет, 2024 | ||
| g | Прочая информация | Вып. 16. - С. 210-218 | ||
| 901 | t | Тип документа | a | |
| 920 | a | Оператор | Кома | |
| 954 | b | Дата поступления в ОК | 20250331 |