| Поле | Инд. | ПП | Название | Значение |
|---|---|---|---|---|
| Тип записи | a | |||
| Библиографический уровень | a | |||
| 001 | Контрольный номер | bf09597e02f84266a7164095ac03e7b3 | ||
| 005 | Дата корректировки | 20250901092751.4 | ||
| 040 | a | Служба первич. каталог. | НБ ТвГУ | |
| b | Код языка каталог. | rus | ||
| e | Правила каталог. | PSBO | ||
| 041 | 0_ | a | Код языка текста | rus |
| 097 | b | Оператор | Komarova.ES | |
| 245 | 10 | a | Заглавие | Особенности кинетики лазерной кристаллизации тонких пленок халькогенидных фазоизменяемых материалов GeTe и Ge2Sb2Te5 |
| 260 | a | Место издания | Тверь | |
| b | Издательство | Тверской государственный университет | ||
| 504 | a | Библиография | Библиогр.: с. 608-609 (28 назв.) | |
| 520 | 0_ | a | Аннотация | В работе представлены результаты теоретического анализа кристаллизации тонких пленок фазоизменяемых материалов GeTe и Ge2Sb2Te5 под действием импульсного лазерного излучения. Изменение фазового состояния и оценка доли кристаллической фазы проводились на основе изменения коэффициента оптического отражения зондирующего излучения от поверхности образца пленки. Для оценки кинетических особенностей фазового превращения под действием лазерного излучения применялся формализм на основе теории Колмогорова – Джонсона – Мэла – Аврами. На основе экспериментальных данных изменения отражения при кристаллизации исследуемых материалов были построены графики и определены постоянные Аврами. Показано, что GeTe демонстрирует одноступенчатый процесс кристаллизации, что связано с высокой скоростью зародышеобразования и ростом кристаллитов во всех направлениях. Материал Ge2Sb2Te5 отличает двухступенчатый процесс кристаллизации с изменением постоянной Аврами, что связано с влиянием многих факторов, таких как геометрия пленки, особенности напыления и т.д. и объясняется преобладанием высоко стохастичного зародышеобразования.. |
| 653 | 0_ | a | Ключевые слова | Геометрия пленки |
| a | Ключевые слова | Физика | ||
| a | Ключевые слова | Москва, город | ||
| a | Ключевые слова | Лазерная кристаллизация | ||
| a | Ключевые слова | Фазовые переходы | ||
| 700 | 12 | a | Другие авторы | Бурцев Антон Андреевич |
| q | Полное имя | Бурцев А. А. | ||
| 700 | 12 | a | Другие авторы | Киселев Алексей Владимирович |
| q | Полное имя | Киселев А. В. | ||
| 700 | 12 | a | Другие авторы | Михалевский Владимир Александрович |
| q | Полное имя | Михалевский В. А. | ||
| 700 | 12 | a | Другие авторы | Ионин Виталий Вячеславович |
| q | Полное имя | Ионин В. В. | ||
| 700 | 12 | a | Другие авторы | Невзоров Алексей Алексеевич |
| q | Полное имя | Невзоров А. А. | ||
| 700 | 12 | a | Другие авторы | Елисеев Николай Николаевич |
| q | Полное имя | Елисеев Н. Н. | ||
| 700 | 12 | a | Другие авторы | Лотин Андрей Анатольевич |
| q | Полное имя | Лотин А. А. | ||
| 773 | 18 | w | Контрольный № источника | d2fe61835b6d45e68f4e7a89a6ff6903 |
| t | Название источника | Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов | ||
| d | Место и дата издания | Тверь : Тверской государственный университет, 2024 | ||
| g | Прочая информация | Вып. 16. - С. 603-611 | ||
| 901 | t | Тип документа | a | |
| 920 | a | Оператор | Кома | |
| 954 | b | Дата поступления в ОК | 20250901 |