| Поле | Инд. | ПП | Название | Значение |
|---|---|---|---|---|
| Тип записи | a | |||
| Библиографический уровень | a | |||
| 001 | Контрольный номер | 1a7a2bd5ead6454e8af77df2db07f2e0 | ||
| 005 | Дата корректировки | 20260702144057.0 | ||
| 040 | a | Служба первич. каталог. | НБ ТвГУ | |
| b | Код языка каталог. | rus | ||
| e | Правила каталог. | PSBO | ||
| 041 | 0_ | a | Код языка текста | rus |
| 097 | b | Оператор | Komarova.ES | |
| 098 | b | Факультет | Физико-технический | |
| 100 | 1_ | a | Автор | Синкевич Артем Игоревич |
| q | Полное имя | Синкевич А. И. | ||
| 245 | 10 | a | Заглавие | Анализ комплексности магнитной доменной структуры объемных образцов высоко- и низкоанизотропных соединений |
| 260 | a | Место издания | Тверь | |
| b | Издательство | Тверской государственный университет | ||
| 504 | a | Библиография | Библиогр.: с. 169-170 (22 назв.) | |
| 520 | 0_ | a | Аннотация | Для объемных образцов одноосных кристаллов с известными структурными и магнитными характеристиками, существует возможность предсказать конфигурацию магнитной доменной структуры и геометрические размеры ее элементов. Однако подобная оценка содержит информацию лишь об итоговой структуре на базисной плоскости образца, при этом особенности ее формирования не рассматриваются. В работе предложен анализ комплексности доменной структуры объемных образцов высоко- и низкоанизотропных соединений на основе исследования полей рассеяния доменной структуры, а также в рамках методов фрактальной геометрии. Проведенный анализ позволил оценить степень усложнения доменной структуры в процессе ее формирования от основных глубинных доменов до поверхностной структуры на базисной плоскости кристалла. Дополнительно, на основе пространственного распределения сигнала зонда сканирующего зондового микроскопа над поверхностью образца проведен фрактальный анализ самих полей рассеяния доменной структуры. В результате сопоставления полученных данных для высоко- и низкоанизотропных соединений показано, что объекты с качественно разными конфигурациями доменной структуры, но схожими закономерностями их формирования, обладают близкими значениями статистических параметров комплексности структуры, в то время как для объектов с более простой структурой и меньшим числом вложений значения этих параметров снижены. |
| 653 | 0_ | a | Ключевые слова | Параметры снижены |
| a | Ключевые слова | Кристаллы | ||
| a | Ключевые слова | Базисная плоскость | ||
| a | Ключевые слова | Структура | ||
| a | Ключевые слова | Образцы | ||
| a | Ключевые слова | Труды Тверского государственного университета | ||
| 700 | 12 | a | Другие авторы | Сметанникова Софья Дмитриевна |
| q | Полное имя | Сметанникова С. Д. | ||
| 773 | 18 | w | Контрольный № источника | 68e9503e250a4b62acf4ddd87a83e008 |
| t | Название источника | Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов | ||
| d | Место и дата издания | Тверь : Тверской государственный университет, 2025 | ||
| g | Прочая информация | Вып. 17. - С. 161-171 | ||
| 901 | t | Тип документа | a | |
| 920 | a | Оператор | Кома | |
| 954 | b | Дата поступления в ОК | 20260610 |