| Поле | Инд. | ПП | Название | Значение |
|---|---|---|---|---|
| Тип записи | a | |||
| Библиографический уровень | a | |||
| 001 | Контрольный номер | a08ad9dbaaa64bab8821549d475ad8f9 | ||
| 005 | Дата корректировки | 20260615095128.2 | ||
| 040 | a | Служба первич. каталог. | НБ ТвГУ | |
| b | Код языка каталог. | rus | ||
| e | Правила каталог. | PSBO | ||
| 041 | 0_ | a | Код языка текста | rus |
| 097 | b | Оператор | Komarova.ES | |
| 100 | 1_ | a | Автор | Лапушкин Михаил Николаевич |
| q | Полное имя | Лапушкин М. Н. | ||
| 245 | 10 | a | Заглавие | Адсорбция монослоя магния на поверхности GaN(0001) |
| 260 | a | Место издания | Тверь | |
| b | Издательство | Тверской государственный университет | ||
| 504 | a | Библиография | Библиогр.: с. | |
| 520 | 0_ | a | Аннотация | Методом функционала плотности проведен расчет адсорбции монослоя атомов Mg на поверхности грани (0001) GaN. 2D-слой GaN моделировался суперъячейкой GaN(0001) 2?2 содержащих 10 бислоёв GaN. Поверхность GaN имеет металлический характер, что обеспечено наличием около уровня Ферми зоны поверхностных состояний. Расчет электронной плотности состояний и энергии адсорбции атомов Mg проводился для трех устойчивых мест адсорбции атома Mg: над поверхностными атомами Ga или N и когда 2 атома Mg адсорбируются над атомами N и 2 атома Mg адсорбируются в мостиковой позиции между атомами N. Адсорбция атомов Mg предпочтительна в последней позиции. Один атом Mg приходился на 1 поверхностный атом Ga в первом бислое GaN. Энергия адсорбции Mg равна 1,175 эВ. Адсорбция атомов Mg приводит к незначительной реконструкции поверхности GaN: максимальный сдвиг слоя атомов Ga (N) не превышает 0,035 A. Адсорбция Mg приводит к образованию широкой поверхностной зоны ниже уровня Ферми. Связь с поверхностью GaN(0001) осуществляется за счет образования связи между валентными электронами магния и валентными электронами подложки GaN. |
| 653 | 0_ | a | Ключевые слова | Метод функционала плотности |
| a | Ключевые слова | Электронная структура | ||
| a | Ключевые слова | Интерфейс | ||
| a | Ключевые слова | Магний | ||
| a | Ключевые слова | Санкт-Петербург, город | ||
| 773 | 18 | w | Контрольный № источника | 68e9503e250a4b62acf4ddd87a83e008 |
| t | Название источника | Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов | ||
| d | Место и дата издания | Тверь : Тверской государственный университет, 2025 | ||
| g | Прочая информация | Вып. 17. - С. 447-454 | ||
| 901 | t | Тип документа | a | |
| 920 | a | Оператор | Кома | |
| 954 | b | Дата поступления в ОК | 20260615 |