| Поле | Инд. | ПП | Название | Значение |
|---|---|---|---|---|
| Тип записи | a | |||
| Библиографический уровень | a | |||
| 001 | Контрольный номер | 8e0175a2ae1145a1b9f48eedc9b4dc23 | ||
| 005 | Дата корректировки | 20260702144056.7 | ||
| 040 | a | Служба первич. каталог. | НБ ТвГУ | |
| b | Код языка каталог. | rus | ||
| e | Правила каталог. | PSBO | ||
| 041 | 0_ | a | Код языка текста | rus |
| 097 | b | Оператор | Komarova.ES | |
| 245 | 10 | a | Заглавие | Влияние концентрации дефектов в перовските и гетеропереходах на фотоэлектрические характеристики солнечного элемента |
| 260 | a | Место издания | Тверь | |
| b | Издательство | Тверской государственный университет | ||
| 504 | a | Библиография | Библиогр.: с. 542-543 (15 назв.) | |
| 520 | 0_ | a | Аннотация | Увеличение стабильности и надежности работы перовскитных преобразователей солнечной энергии в электрическую является одной из важных проблем в области зеленой энергетики. В связи с этим предлагается новая модель структуры солнечного элемента, способная стабилизировать фотоэлектрические характеристики на уровне, приближающемся к теоретическому пределу для однослойного перовскита. Рассмотрено влияние концентрации дефектов на характеристики преобразования солнечной энергии в электрическую в перовскитных солнечных элементах в модели структуры ITO/ZnO/CH3NH3PbI3/NiO/Ag. Проведенные численные расчеты, показывают существенную зависимость характеристик солнечного элемента от плотности дефектов на границах слоев и в самом перовскитном поглотителе. Установлены зависимости характеристик фотоэлектрической эффективности солнечного элемента от плотности дефектов на гетеропереходах оксидов с поглотителем и в поглотителе. Установлены предельные значения концентрации дефектов, ниже которых достигаются максимальные значения напряжения холостого хода, плотности тока короткого замыкания, фотоэлектрическая эффективность и коэффициента полезного действия. Концентрация дефектов на межфазной границе CH3NH3PbI3/NiO практически не влияет на значения указанных параметров. Для предложенной модели построена вольтамперная характеристика и рассчитаны оптимальные фотоэлектрические характеристики. |
| 653 | 0_ | a | Ключевые слова | Физика |
| a | Ключевые слова | Дефекты | ||
| a | Ключевые слова | Нальчик, город | ||
| a | Ключевые слова | Солнечный элемент | ||
| a | Ключевые слова | Наноструктура | ||
| 700 | 12 | a | Другие авторы | Агоев Артур Залимханович |
| q | Полное имя | Агоев А. З. | ||
| 700 | 12 | a | Другие авторы | Кармоков Ахмед Мацевич |
| q | Полное имя | Кармоков А. М. | ||
| 700 | 12 | a | Другие авторы | Козырев Евгений Николаевич |
| q | Полное имя | Козырев Е. Н. | ||
| 700 | 12 | a | Другие авторы | Молоканов Олег Артемович |
| q | Полное имя | Молоканов О. А. | ||
| 700 | 12 | a | Другие авторы | Кармокова Рита Юрьевна |
| q | Полное имя | Кармокова Р. Ю. | ||
| 773 | 18 | w | Контрольный № источника | 68e9503e250a4b62acf4ddd87a83e008 |
| t | Название источника | Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов | ||
| d | Место и дата издания | Тверь : Тверской государственный университет, 2025 | ||
| g | Прочая информация | Вып. 17. - С. 537-543 | ||
| 901 | t | Тип документа | a | |
| 920 | a | Оператор | Кома | |
| 954 | b | Дата поступления в ОК | 20260616 |