| Найдено документов - 8 | Найти похожие: "Индекс ББК" = 'З843.3 или В379.251' | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Книга
Дубровский Владимир Германович.
Теория формирования эпитаксиальных наноструктур / Дубровский Владимир Германович. - Москва : ФИЗМАТЛИТ, 2009. - 350 с. : ил. ; 22 см. - (Фундаментальная и прикладная физика). - Библиогр.: с. 338-350 (350 назв.). - ISBN 978-5-9221-1069-3 : 300.00.
Теория формирования эпитаксиальных наноструктур / Дубровский Владимир Германович. - Москва : ФИЗМАТЛИТ, 2009. - 350 с. : ил. ; 22 см. - (Фундаментальная и прикладная физика). - Библиогр.: с. 338-350 (350 назв.). - ISBN 978-5-9221-1069-3 : 300.00.
Шифры: В379.2 - Д 79
Ключевые слова: Квантовые точки, Нановискеры, Наноструктуры, Нитевидные нанокристаллы, Полупроводники, Полупроводниковые наноструктуры, Рост наноструктур, Рост тонких пленок, Тонкие пленки, Фазовые превращения, Физика наноструктур, Формирование наноструктур, Эпитаксиальные наноструктуры, Эпитаксиальные пленки
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
Аннотация: В книге подробно рассматривается кинетическая теория формирования полупроводниковых наноструктур на поверхности твердого тела, описываются основные физические концепции и модели процессов образования эпитаксиальных пленок, квантовых точек и нитевидных нанокристаллов (нановискеров). Излагаются основы теории нуклеации и конденсации и возможности ее применения для моделирования ростовых процессов, морфологии и физических свойств эпитаксиальных наноструктур . Особое внимание уделяется теоретическим моделям формирования квантовых точек и нановискеров полупроводниковых соединений III-V. Результаты расчетов сравниваются с экспериментальными данными, полученными для различных систем материалов и условий осаждения. Никаких предварительных знаний по теории нуклеации, физической кинетике, физике поверхностных явлений не требуется, все необходимые сведения приведены в тексте.
2. Книга
Козловский Виталий Васильевич.
Модифицирование полупроводников пучками протонов / Козловский Виталий Васильевич; В. В. Козловский; Отв. ред. Р. Ш. Малкович. - СПб : Наука, 2003. - 267,[1] с. : ил. ; 21 см. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 5-02-024988-2 : 54.00.
Модифицирование полупроводников пучками протонов / Козловский Виталий Васильевич; В. В. Козловский; Отв. ред. Р. Ш. Малкович. - СПб : Наука, 2003. - 267,[1] с. : ил. ; 21 см. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 5-02-024988-2 : 54.00.
Авторы: Козловский Виталий Васильевич, Малкович Р. Ш.
Шифры: З843.3 - К59
Ключевые слова: Модифицирование полупроводников, Модифицирование пучками протонов, Полупроводники, Протоны, Пучки протонов, Радиационное модифицирование
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
3. Документ
Борисенко Виктор Евгеньевич.
Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве / Борисенко Виктор Евгеньевич; Под ред. В.А. Лабунова. - Минск, 1992. - 246,[2] с. : ил. - Библиогр.: с.209-247. - ISBN 5-343-00821-6 : 6.40.
Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве / Борисенко Виктор Евгеньевич; Под ред. В.А. Лабунова. - Минск, 1992. - 246,[2] с. : ил. - Библиогр.: с.209-247. - ISBN 5-343-00821-6 : 6.40.
Авторы: Борисенко Виктор Евгеньевич, Лабунов В А
Шифры: З843.3 - Б82
Ключевые слова: Термообработка полупроводников, Трехфазные процессы в полупроводниках, Полупроводники, Импульсный нагрев полупроводников
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
4. Документ
Получение и свойства сложных полупроводников : Сб. науч. тр. / М-во высш. и сред. спец. образования УССР, Учеб.-метод. каб. по высш. образованию, Ужгород. гос. ун-т; [Редкол.: Ю. В. Ворошилов (отв. ред.) и др.]. - Киев : УМКВО, 1991. - 146 с. : ил. ; 20 см. - Библиогр. в конце ст. - ISBN 5-7763-0314-1 : 0.60.
Шифры: Г534.7 - П53
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
5. Документ
Меден Арун.
Физика и применение аморфных полупроводников / Меден Арун; А. Меден, М. Шо ; Пер. с англ. С. А. Костылева. - Москва : Мир, 1991. - 670 с. : ил. ; 22 см. - Перевод изд.: The physics and applications of amorphous semiconductors / Arun Madan, Melvin P. Shaw (Boston etc.). - Библиогр.: с. 622-660 (828 назв.). - Предм. указ.: с. 661-667. - ISBN 5-03-001895-6 (в пер.) : 5.90.
Физика и применение аморфных полупроводников / Меден Арун; А. Меден, М. Шо ; Пер. с англ. С. А. Костылева. - Москва : Мир, 1991. - 670 с. : ил. ; 22 см. - Перевод изд.: The physics and applications of amorphous semiconductors / Arun Madan, Melvin P. Shaw (Boston etc.). - Библиогр.: с. 622-660 (828 назв.). - Предм. указ.: с. 661-667. - ISBN 5-03-001895-6 (в пер.) : 5.90.
Авторы: Меден Арун, Шо Мелвин, Костылев С. А.
Шифры: В379.2 - М42
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
6. Документ
Мокроусов Геннадий Михайлович.
Перестройка твердых тел на границах раздела фаз / Мокроусов Геннадий Михайлович; Г. М. Мокроусов; под ред. Г. Г. Савельева ; Том. гос. ун-т. - Томск : Томский гос. ун-т, 1990. - 227, [2] с. : граф. ; 20 см. - Библиогр.: с. 213-228. - ISBN 5-7511-0395-5 : 1.90.
Перестройка твердых тел на границах раздела фаз / Мокроусов Геннадий Михайлович; Г. М. Мокроусов; под ред. Г. Г. Савельева ; Том. гос. ун-т. - Томск : Томский гос. ун-т, 1990. - 227, [2] с. : граф. ; 20 см. - Библиогр.: с. 213-228. - ISBN 5-7511-0395-5 : 1.90.
Авторы: Мокроусов Геннадий Михайлович, Савельев Г. Г.
Шифры: В379.2 - М74
Экземпляры: Всего: 2, из них: к3-2
Подробнее
7. Книга
Мавлонов Шараф М.
Физикохимия сегрегационных явлений при кристаллизации полупроводников / Мавлонов Шараф М.; Ш. Мавлонов; отв. ред. Р. А. Кариева; Физ.-техн. ин-т им. С. У. Умарова АН ТаджССР. - Душанбе : Дониш, 1990. - 154,[3] с. : ил., табл. ; 20 см. - Библиогр.: с. 138-154. - ISBN 5-8366-0095-3 : 1.90.
Физикохимия сегрегационных явлений при кристаллизации полупроводников / Мавлонов Шараф М.; Ш. Мавлонов; отв. ред. Р. А. Кариева; Физ.-техн. ин-т им. С. У. Умарова АН ТаджССР. - Душанбе : Дониш, 1990. - 154,[3] с. : ил., табл. ; 20 см. - Библиогр.: с. 138-154. - ISBN 5-8366-0095-3 : 1.90.
Авторы: Мавлонов Шараф М., Мавлонов Шараф М., Кариева Р. А.
Шифры: З843.3 - М12
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
8. Документ
Исследование бинарных полупроводников / [А. М. Андриеш, Э. К. Арушанов, И. П. Молодян и др.] ; отв. ред. Д. В. Гицу ; В надзаг.: АН МССР, Ин-т прикл. физики. - Кишинев : Штиинца, 1983. - 131 с. ; 22 см. - Авт. указаны на обороте тит. л. - Библиогр.: с. 105-130. - 1 р. 20 к.
Авторы: Андриеш Андрей Михайлович, Арушанов Э. К., Молодян И. П., Гицу Дмитрий Васильевич
Шифры: З843.3 - И88
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее