Аннотация: В учебнике известного немецкого физика М. Грундмана излагаются как фундаментальные основы физики твердого тела, так и последние достижения в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов. Особое внимание уделяется оптоэлектронным и электромеханическим эффектам в сложных полупроводниковых структурах с микро- и нано размерами функциональных элементов. Подробно рассматриваются приборные и схемотехнические реализации теоретических моделей. Изложены технические аспекты получения полупроводников и изготовления полупроводниковых структур. Во второе издание добавлены самые последние достижения в исследованиях органических и магнитных полупроводников, нанотехнологий, тонкопленочных транзисторов, прозрачных проводящих оксидов, новых типов солнечных батарей. Для научных работников и инженеров, работающих в области электроники и вычислительной техники, и студентов старших курсов соответствующих специальностей.

Аннотация: Монография, написанная специалистами ведущих мировых научных лабораторий и институтов, занимающихся синтезом низкоразмерных диэлектрических и полупроводниковых материалов, посвящена основным достижениям в области выращивания кристалловолокон этих соединений из расплавов. Книга отличается широким кругом рассматриваемых в ней междисциплинарных вопросов по актуальным для современного материаловедения проблемам фундаментального, научно-прикладного и инженерного характера.Для специалистов, занимающихся выращиванием объемных и волоконных кристаллов из расплава в исследовательских и коммерческих целях.

Аннотация: В книге подробно рассматривается кинетическая теория формирования полупроводниковых наноструктур на поверхности твердого тела, описываются основные физические концепции и модели процессов образования эпитаксиальных пленок, квантовых точек и нитевидных нанокристаллов (нановискеров). Излагаются основы теории нуклеации и конденсации и возможности ее применения для моделирования ростовых процессов, морфологии и физических свойств эпитаксиальных наноструктур . Особое внимание уделяется теоретическим моделям формирования квантовых точек и нановискеров полупроводниковых соединений III-V. Результаты расчетов сравниваются с экспериментальными данными, полученными для различных систем материалов и условий осаждения. Никаких предварительных знаний по теории нуклеации, физической кинетике, физике поверхностных явлений не требуется, все необходимые сведения приведены в тексте.