Найдено документов - 37 | Найти похожие: "Индекс ББК" = 'В379.2 или З852' | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Книга
Грундман Мариус.
Основы физики полупроводников. Нанофизика и технические приложения : [учебник] / Грундман Мариус; пер. с англ. [И. В. Ванюшкина и др.] ; под ред. д.ф.-м.н. В. А. Гергеля. - 2-е изд. - Москва : ФИЗМАТЛИТ, 2012. - 771 с. : ил. - Загл. и авт. ориг.: The physics of semicohductors / Marius Grundmann. - Библиогр.: с. 711-751 (1484 назв.). - Предм. указ.: с. 752-771. - ISBN 978-5-9221-1394-6 : 700.00.
Основы физики полупроводников. Нанофизика и технические приложения : [учебник] / Грундман Мариус; пер. с англ. [И. В. Ванюшкина и др.] ; под ред. д.ф.-м.н. В. А. Гергеля. - 2-е изд. - Москва : ФИЗМАТЛИТ, 2012. - 771 с. : ил. - Загл. и авт. ориг.: The physics of semicohductors / Marius Grundmann. - Библиогр.: с. 711-751 (1484 назв.). - Предм. указ.: с. 752-771. - ISBN 978-5-9221-1394-6 : 700.00.
Шифры: В379.2 - Г 90
Ключевые слова: Гетероструктуры, Графен, Диоды, Диэлектрические структуры, Лазеры, Наноструктуры, Нанофизика, Полупроводники, Полупроводниковая электроника, Полупроводниковые приборы, Радиоэлектроника, Светодиоды, Транзисторы, Углеродные нанотрубки, Физика полупроводников, Фотосенсоры, Электроника
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
Аннотация: В учебнике известного немецкого физика М. Грундмана излагаются как фундаментальные основы физики твердого тела, так и последние достижения в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов. Особое внимание уделяется оптоэлектронным и электромеханическим эффектам в сложных полупроводниковых структурах с микро- и нано размерами функциональных элементов. Подробно рассматриваются приборные и схемотехнические реализации теоретических моделей. Изложены технические аспекты получения полупроводников и изготовления полупроводниковых структур. Во второе издание добавлены самые последние достижения в исследованиях органических и магнитных полупроводников, нанотехнологий, тонкопленочных транзисторов, прозрачных проводящих оксидов, новых типов солнечных батарей. Для научных работников и инженеров, работающих в области электроники и вычислительной техники, и студентов старших курсов соответствующих специальностей.
2. Книга
Дубровский Владимир Германович.
Теория формирования эпитаксиальных наноструктур / Дубровский Владимир Германович. - Москва : ФИЗМАТЛИТ, 2009. - 350 с. : ил. ; 22 см. - (Фундаментальная и прикладная физика). - Библиогр.: с. 338-350 (350 назв.). - ISBN 978-5-9221-1069-3 : 300.00.
Теория формирования эпитаксиальных наноструктур / Дубровский Владимир Германович. - Москва : ФИЗМАТЛИТ, 2009. - 350 с. : ил. ; 22 см. - (Фундаментальная и прикладная физика). - Библиогр.: с. 338-350 (350 назв.). - ISBN 978-5-9221-1069-3 : 300.00.
Шифры: В379.2 - Д 79
Ключевые слова: Квантовые точки, Нановискеры, Наноструктуры, Нитевидные нанокристаллы, Полупроводники, Полупроводниковые наноструктуры, Рост наноструктур, Рост тонких пленок, Тонкие пленки, Фазовые превращения, Физика наноструктур, Формирование наноструктур, Эпитаксиальные наноструктуры, Эпитаксиальные пленки
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
Аннотация: В книге подробно рассматривается кинетическая теория формирования полупроводниковых наноструктур на поверхности твердого тела, описываются основные физические концепции и модели процессов образования эпитаксиальных пленок, квантовых точек и нитевидных нанокристаллов (нановискеров). Излагаются основы теории нуклеации и конденсации и возможности ее применения для моделирования ростовых процессов, морфологии и физических свойств эпитаксиальных наноструктур . Особое внимание уделяется теоретическим моделям формирования квантовых точек и нановискеров полупроводниковых соединений III-V. Результаты расчетов сравниваются с экспериментальными данными, полученными для различных систем материалов и условий осаждения. Никаких предварительных знаний по теории нуклеации, физической кинетике, физике поверхностных явлений не требуется, все необходимые сведения приведены в тексте.
3. Книга
Лебедев Александр Иванович.
Физика полупроводниковых приборов / Лебедев Александр Иванович. - Москва : ФИЗМАТЛИТ, 2008. - 487 с. : ил., табл. ; 21 см. - На 4-й с. обл. авт.: А. И. Лебедев - д-р физ.-мат. наук, проф. - Библиогр.: с. 463-477. - Предм. указ.: с. 478-487. - ISBN 978-5-9221-0995-6 : 150.00.
Физика полупроводниковых приборов / Лебедев Александр Иванович. - Москва : ФИЗМАТЛИТ, 2008. - 487 с. : ил., табл. ; 21 см. - На 4-й с. обл. авт.: А. И. Лебедев - д-р физ.-мат. наук, проф. - Библиогр.: с. 463-477. - Предм. указ.: с. 478-487. - ISBN 978-5-9221-0995-6 : 150.00.
Шифры: З852 - Л 33
Ключевые слова: Полупроводниковые приборы, Физика полупроводниковых приборов, Электроника
Экземпляры: Всего: 6, из них: к3-6
Подробнее
4. Книга
Козловский Виталий Васильевич.
Модифицирование полупроводников пучками протонов / Козловский Виталий Васильевич; В. В. Козловский; Отв. ред. Р. Ш. Малкович. - СПб : Наука, 2003. - 267,[1] с. : ил. ; 21 см. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 5-02-024988-2 : 54.00.
Модифицирование полупроводников пучками протонов / Козловский Виталий Васильевич; В. В. Козловский; Отв. ред. Р. Ш. Малкович. - СПб : Наука, 2003. - 267,[1] с. : ил. ; 21 см. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 5-02-024988-2 : 54.00.
Авторы: Козловский Виталий Васильевич, Малкович Р. Ш.
Шифры: З843.3 - К59
Ключевые слова: Модифицирование полупроводников, Модифицирование пучками протонов, Полупроводники, Протоны, Пучки протонов, Радиационное модифицирование
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
5. Документ
Ю Питер.
Основы физики полупроводников / Ю Питер; Питер Ю, Мануэль Кардона; Пер. с англ. И. И. Решиной; Под ред. Б. П. Захарчени. - Москва : Физматлит, 2002. - 560 с. : ил. - Перевод изд.: Fundamentals of semiconductors / Peter Y. Yu, Manuel Cardona (2002). - Библиогр.: с.509-541. - Предм. указ.: с.542-560. - ISBN 5-9221-0268-0 : 220.00.
Основы физики полупроводников / Ю Питер; Питер Ю, Мануэль Кардона; Пер. с англ. И. И. Решиной; Под ред. Б. П. Захарчени. - Москва : Физматлит, 2002. - 560 с. : ил. - Перевод изд.: Fundamentals of semiconductors / Peter Y. Yu, Manuel Cardona (2002). - Библиогр.: с.509-541. - Предм. указ.: с.542-560. - ISBN 5-9221-0268-0 : 220.00.
Авторы: Ю Питер, Кардона Мануэль, Решина И. И., Захарченя Б. П.
Шифры: В379.2 - Ю11
Ключевые слова: Полупроводники, Физика полупроводников
Экземпляры: Всего: 12, из них: к3-12
Подробнее
6. Документ
Васильев Альберт Васильевич.
Дефектно-примесные реакции в полупроводниках / Васильев Альберт Васильевич; А. А. Васильев, А. И. Баранов ; отв. ред. В. Н. Овсюк ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск : РАН, 2001. - 255 с. - ISBN 5-7692-0428-1 : 75.00.
Дефектно-примесные реакции в полупроводниках / Васильев Альберт Васильевич; А. А. Васильев, А. И. Баранов ; отв. ред. В. Н. Овсюк ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск : РАН, 2001. - 255 с. - ISBN 5-7692-0428-1 : 75.00.
Авторы: Васильев Альберт Васильевич, Баранов Александр Иванович, Овсюк В. Н.
Шифры: В379.2 - В19
Ключевые слова: Дефектно-примесные реакции, Дефекты полупроводников, Полупроводники, Примеси в полупроводниках, Реакции в полупроводниках, Физика полупроводников
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
7. Документ
Усанов Дмитрий Александрович.
Физика работы полупроводниковых приборов в схемах СВЧ / Усанов Дмитрий Александрович, Скрипаль Александр Владимирович; Д.А. Усанов, А.В. Скрипаль. - Саратов : Саратовский гос. ун-т, 1999. - 373,[2] с. : ил. - Библиогр.: с.308-345. - Предм. указ.: с.364-367. - ISBN 5-292-02289-6 : 25.50.
Физика работы полупроводниковых приборов в схемах СВЧ / Усанов Дмитрий Александрович, Скрипаль Александр Владимирович; Д.А. Усанов, А.В. Скрипаль. - Саратов : Саратовский гос. ун-т, 1999. - 373,[2] с. : ил. - Библиогр.: с.308-345. - Предм. указ.: с.364-367. - ISBN 5-292-02289-6 : 25.50.
Авторы: Усанов Дмитрий Александрович, Скрипаль Александр Владимирович
Шифры: З852 - У74
Ключевые слова: Полупроводниковые приборы, СВЧ-схемы, СВЧ-техника, Схемы СВЧ, Техника СВЧ, Физика полупроводниковых приборов
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
8. Документ
Yu Peter Y.
Fundamentals of semiconductors : Physics a. materials properties / Yu Peter Y.; Peter Y. Yu, Manuel Cardona. - Berlin etc. : Springer, 1996. - XIV,617 p. : ill. - Bibliogr.: p.567-598. - ISBN 3-540-61461-3 : 217.10.
Fundamentals of semiconductors : Physics a. materials properties / Yu Peter Y.; Peter Y. Yu, Manuel Cardona. - Berlin etc. : Springer, 1996. - XIV,617 p. : ill. - Bibliogr.: p.567-598. - ISBN 3-540-61461-3 : 217.10.
Авторы: Yu Peter Y., Cardona Manuel
Шифры: В379.2 - Y91
Ключевые слова: Полупроводниковые материалы, Полупроводники, Физика полупроводников
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
9. Документ
Semiconductors - Basic data / Otfried Madelung (ed.). - 2nd rev. ed. - Berlin etc. : Springer, 1996. - [8],317 p. : ill. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 3-540-60883-4 : 244.90.
Шифры: В379.2 - S46
Ключевые слова: Полупроводники
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
10. Документ
Sapoval B.
Physics of semiconductors / B. Sapoval; B. Sapoval, C. Hermann. - New York etc. : Springer, 1995. - IX,319 p. : ill. - Bibliogr.:p.305. - ISBN 0-387-94024-3 : 239.40.
Physics of semiconductors / B. Sapoval; B. Sapoval, C. Hermann. - New York etc. : Springer, 1995. - IX,319 p. : ill. - Bibliogr.:p.305. - ISBN 0-387-94024-3 : 239.40.
Авторы: Sapoval B., Hermann C.
Шифры: В379.2 - S21
Ключевые слова: Полупроводники, Физика полупроводников
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
11. Документ
Moench Winfried.
Semiconductor surfaces and interfaces / Moench Winfried; W. Moench. - 2nd ed. - Berlin etc. : Springer, 1995. - XV,442 p. : ill. - Bibliogr.: p. 403-431. - ISBN 3-540-58625-3 : 261.65.
Semiconductor surfaces and interfaces / Moench Winfried; W. Moench. - 2nd ed. - Berlin etc. : Springer, 1995. - XV,442 p. : ill. - Bibliogr.: p. 403-431. - ISBN 3-540-58625-3 : 261.65.
Шифры: В379.2 - М81
Ключевые слова: Полупроводники, Физика полупроводников
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
12. Документ
Булярский Сергей Викторович.
Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах / Булярский Сергей Викторович, Грушко Наталья Сергеевна; Булярский С.В., Грушко, Н.С.; Гос. ком. Рос. Федерации по высш. образованию ; Гос. ком. СССР по высш. образованию ; Программа "Ун-ты России". - Москва : Изд-во МОск. ун-та, 1995. - 399 с. : табл. - (Программа "Ун-ты России"). - Библиогр.: с.375-392. - ISBN 5-211-03487-2 : 35.00.
Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах / Булярский Сергей Викторович, Грушко Наталья Сергеевна; Булярский С.В., Грушко, Н.С.; Гос. ком. Рос. Федерации по высш. образованию ; Гос. ком. СССР по высш. образованию ; Программа "Ун-ты России". - Москва : Изд-во МОск. ун-та, 1995. - 399 с. : табл. - (Программа "Ун-ты России"). - Библиогр.: с.375-392. - ISBN 5-211-03487-2 : 35.00.
Авторы: Булярский Сергей Викторович, Грушко Наталья Сергеевна
Шифры: З852 - Б90
Ключевые слова: Полупроводниковые приборы, Физика полупроводниковых приборов, Активные элементы, Физика активных элементов, Генерационно-рекомбинационные процессы, Рекомбинация, Генерация
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
13. Документ
Комлякова Нина Сергеевна.
Избранные вопросы физики полупроводников в курсе средней школы : Метод. разраб. по специализации для студентов пед. отд-ния физ. фак. / Комлякова Нина Сергеевна; Твер. гос. ун-т. Каф. физики сегнетоэлектриков и пьезоэлектриков; Сост. Н. С. Комлякова. - Тверь : Тверской государственный университет, 1992. - 16 с. : ил. - 7.00.
Избранные вопросы физики полупроводников в курсе средней школы : Метод. разраб. по специализации для студентов пед. отд-ния физ. фак. / Комлякова Нина Сергеевна; Твер. гос. ун-т. Каф. физики сегнетоэлектриков и пьезоэлектриков; Сост. Н. С. Комлякова. - Тверь : Тверской государственный университет, 1992. - 16 с. : ил. - 7.00.
Шифры: В379.2 - К63
Ключевые слова: Физика полупроводников, Полупроводники, Учебники, Методика, Труды Тверского государственного университета
Экземпляры: Всего: 2, из них: к3-2
Подробнее
14. Документ
Саморуков Борис Егорович.
Свойства полупроводников : Учеб. пособие / Саморуков Борис Егорович; Б.Е. Саморуков; Санкт-Петербург. гос. техн. ун-т. - СПб., 1992. - 88 с. : ил., табл. - Библиогр.:с. 86-87. - Библиогр.: с.86-87. - 10.00.
Свойства полупроводников : Учеб. пособие / Саморуков Борис Егорович; Б.Е. Саморуков; Санкт-Петербург. гос. техн. ун-т. - СПб., 1992. - 88 с. : ил., табл. - Библиогр.:с. 86-87. - Библиогр.: с.86-87. - 10.00.
Шифры: В379.2 - С17
Ключевые слова: Физика полупроводников, Химия полупроводников, Учебники
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
15. Документ
Шур Михаил Саулович.
Физика полупроводниковых приборов : В 2 кн. Кн. 2 / Шур Михаил Саулович; Пер. с англ. под ред. Ю.Д. Биленко, В.Л. Видро. - Москва : Мир, 1992. - 294,[1] с. : ил. - Перевод изд.: Physics of Semiconductor Devices / Michael Shur (Prentice-Hall Intern.). - Библиогр. в конце глав. -Предм. указ.: с.292-294. - ISBN 5-03-002515-4. - ISBN 5-03-002561-8 : 400.00.
Физика полупроводниковых приборов : В 2 кн. Кн. 2 / Шур Михаил Саулович; Пер. с англ. под ред. Ю.Д. Биленко, В.Л. Видро. - Москва : Мир, 1992. - 294,[1] с. : ил. - Перевод изд.: Physics of Semiconductor Devices / Michael Shur (Prentice-Hall Intern.). - Библиогр. в конце глав. -Предм. указ.: с.292-294. - ISBN 5-03-002515-4. - ISBN 5-03-002561-8 : 400.00.
Авторы: Шур Михаил Саулович, Биленко Ю.Д., Видро В.Л.
Шифры: З852 - Ш96
Ключевые слова: Полупроводниковые приборы
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
16. Документ
Шур Михаил Саулович.
Физика полупроводниковых приборов : В 2 кн. Кн. 1 / Шур Михаил Саулович; Пер. с англ. под ред. Ю.Д. Биленко, В.Л. Видро. - Москва : Мир, 1992. - 479 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - Перевод изд.: Physics of semiconductor devices / Michael Shur (Prentice-Hall Intern.). - ISBN 5-03-002514-6 : 600.00.
Физика полупроводниковых приборов : В 2 кн. Кн. 1 / Шур Михаил Саулович; Пер. с англ. под ред. Ю.Д. Биленко, В.Л. Видро. - Москва : Мир, 1992. - 479 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - Перевод изд.: Physics of semiconductor devices / Michael Shur (Prentice-Hall Intern.). - ISBN 5-03-002514-6 : 600.00.
Шифры: З852 - Ш96
Ключевые слова: Полупроводниковые приборы
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
17. Документ
Джафаров Таяр Джумшуд оглы.
Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках / Джафаров Таяр Джумшуд оглы; Т. Д. Джафаров. - Москва : Энергоатомиздат, 1991. - 287 с. : ил. ; 21 см. - Библиогр.: с. 279-286. - ISBN 5-283-03998-6 : 3.30.
Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках / Джафаров Таяр Джумшуд оглы; Т. Д. Джафаров. - Москва : Энергоатомиздат, 1991. - 287 с. : ил. ; 21 см. - Библиогр.: с. 279-286. - ISBN 5-283-03998-6 : 3.30.
Шифры: В379.2 - Д40
Ключевые слова: Полупроводники, Радиационно-стимулированная диффузия, Диффузия в полупроводниках
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
18. Документ
Меден Арун.
Физика и применение аморфных полупроводников / Меден Арун; А. Меден, М. Шо ; Пер. с англ. С. А. Костылева. - Москва : Мир, 1991. - 670 с. : ил. ; 22 см. - Перевод изд.: The physics and applications of amorphous semiconductors / Arun Madan, Melvin P. Shaw (Boston etc.). - Библиогр.: с. 622-660 (828 назв.). - Предм. указ.: с. 661-667. - ISBN 5-03-001895-6 (в пер.) : 5.90.
Физика и применение аморфных полупроводников / Меден Арун; А. Меден, М. Шо ; Пер. с англ. С. А. Костылева. - Москва : Мир, 1991. - 670 с. : ил. ; 22 см. - Перевод изд.: The physics and applications of amorphous semiconductors / Arun Madan, Melvin P. Shaw (Boston etc.). - Библиогр.: с. 622-660 (828 назв.). - Предм. указ.: с. 661-667. - ISBN 5-03-001895-6 (в пер.) : 5.90.
Авторы: Меден Арун, Шо Мелвин, Костылев С. А.
Шифры: В379.2 - М42
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
19. Документ
Росадо Луис.
Физическая электроника и микроэлектроника / Росадо Луис; Л. Росадо; Пер. с исп. С.И. Баскакова; Под ред. В.А. Терехова. - Москва : Высшая школа, 1991. - 350,[1] с. : ил. - Перевод изд.: Electronica Fisica y Microelectronica (Madrid, 1987)/. - Библиогр.: с.339-340. - Предм. указ.: с.341-345. - ISBN 5-06-000820-7. - ISBN 84-283-1528-0 : 24.13.
Физическая электроника и микроэлектроника / Росадо Луис; Л. Росадо; Пер. с исп. С.И. Баскакова; Под ред. В.А. Терехова. - Москва : Высшая школа, 1991. - 350,[1] с. : ил. - Перевод изд.: Electronica Fisica y Microelectronica (Madrid, 1987)/. - Библиогр.: с.339-340. - Предм. указ.: с.341-345. - ISBN 5-06-000820-7. - ISBN 84-283-1528-0 : 24.13.
Авторы: Росадо Луис, Баскаков С.И., Терехов В.А.
Шифры: З852 - Р74
Ключевые слова: Микроэлектроника, Физическая микроэлектроника, Электроника, Физическая электроника, Полупроводниковые приборы, Физика полупроводниковых приборов, Полупроводниковая электроника
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
20. Документ
Дефекты структуры в ионно-имплантированном кремнии / Ф. Ф. Комаров, А. П. Новиков, В. С. Соловьев, С. Ю. Ширяев. - Минск : Университетское, 1990. - 318,[1] с., [8] л. ил. : ил. ; 22 см. - Рез.: англ. - Библиогр.: с. 293-318 (697 назв.). - ISBN 5-7855-0192-9 (в пер.) : 3.00.
Авторы: Комаров Фадей Фадеевич, Новиков А. П., Соловьев В. С., Ширяев С. Ю.
Шифры: В379.2 - Д39
Ключевые слова: Дефекты кремния, Ионная имплантация, Ионное внедрение, Ионное легирование, Ионно-имплантированный кремний, Кремний, Структура кремния
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее