| Найдено документов - 28 | Найти похожие: "Индекс ББК" = 'В379.2 или Г123.5/6' | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Книга
Грундман Мариус.
Основы физики полупроводников. Нанофизика и технические приложения : [учебник] / Грундман Мариус; пер. с англ. [И. В. Ванюшкина и др.] ; под ред. д.ф.-м.н. В. А. Гергеля. - 2-е изд. - Москва : ФИЗМАТЛИТ, 2012. - 771 с. : ил. - Загл. и авт. ориг.: The physics of semicohductors / Marius Grundmann. - Библиогр.: с. 711-751 (1484 назв.). - Предм. указ.: с. 752-771. - ISBN 978-5-9221-1394-6 : 700.00.
Основы физики полупроводников. Нанофизика и технические приложения : [учебник] / Грундман Мариус; пер. с англ. [И. В. Ванюшкина и др.] ; под ред. д.ф.-м.н. В. А. Гергеля. - 2-е изд. - Москва : ФИЗМАТЛИТ, 2012. - 771 с. : ил. - Загл. и авт. ориг.: The physics of semicohductors / Marius Grundmann. - Библиогр.: с. 711-751 (1484 назв.). - Предм. указ.: с. 752-771. - ISBN 978-5-9221-1394-6 : 700.00.
Шифры: В379.2 - Г 90
Ключевые слова: Гетероструктуры, Графен, Диоды, Диэлектрические структуры, Лазеры, Наноструктуры, Нанофизика, Полупроводники, Полупроводниковая электроника, Полупроводниковые приборы, Радиоэлектроника, Светодиоды, Транзисторы, Углеродные нанотрубки, Физика полупроводников, Фотосенсоры, Электроника
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
Аннотация: В учебнике известного немецкого физика М. Грундмана излагаются как фундаментальные основы физики твердого тела, так и последние достижения в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов. Особое внимание уделяется оптоэлектронным и электромеханическим эффектам в сложных полупроводниковых структурах с микро- и нано размерами функциональных элементов. Подробно рассматриваются приборные и схемотехнические реализации теоретических моделей. Изложены технические аспекты получения полупроводников и изготовления полупроводниковых структур. Во второе издание добавлены самые последние достижения в исследованиях органических и магнитных полупроводников, нанотехнологий, тонкопленочных транзисторов, прозрачных проводящих оксидов, новых типов солнечных батарей. Для научных работников и инженеров, работающих в области электроники и вычислительной техники, и студентов старших курсов соответствующих специальностей.
2. Книга
Дубровский Владимир Германович.
Теория формирования эпитаксиальных наноструктур / Дубровский Владимир Германович. - Москва : ФИЗМАТЛИТ, 2009. - 350 с. : ил. ; 22 см. - (Фундаментальная и прикладная физика). - Библиогр.: с. 338-350 (350 назв.). - ISBN 978-5-9221-1069-3 : 300.00.
Теория формирования эпитаксиальных наноструктур / Дубровский Владимир Германович. - Москва : ФИЗМАТЛИТ, 2009. - 350 с. : ил. ; 22 см. - (Фундаментальная и прикладная физика). - Библиогр.: с. 338-350 (350 назв.). - ISBN 978-5-9221-1069-3 : 300.00.
Шифры: В379.2 - Д 79
Ключевые слова: Квантовые точки, Нановискеры, Наноструктуры, Нитевидные нанокристаллы, Полупроводники, Полупроводниковые наноструктуры, Рост наноструктур, Рост тонких пленок, Тонкие пленки, Фазовые превращения, Физика наноструктур, Формирование наноструктур, Эпитаксиальные наноструктуры, Эпитаксиальные пленки
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
Аннотация: В книге подробно рассматривается кинетическая теория формирования полупроводниковых наноструктур на поверхности твердого тела, описываются основные физические концепции и модели процессов образования эпитаксиальных пленок, квантовых точек и нитевидных нанокристаллов (нановискеров). Излагаются основы теории нуклеации и конденсации и возможности ее применения для моделирования ростовых процессов, морфологии и физических свойств эпитаксиальных наноструктур . Особое внимание уделяется теоретическим моделям формирования квантовых точек и нановискеров полупроводниковых соединений III-V. Результаты расчетов сравниваются с экспериментальными данными, полученными для различных систем материалов и условий осаждения. Никаких предварительных знаний по теории нуклеации, физической кинетике, физике поверхностных явлений не требуется, все необходимые сведения приведены в тексте.
3. Книга
Козловский Виталий Васильевич.
Модифицирование полупроводников пучками протонов / Козловский Виталий Васильевич; В. В. Козловский; Отв. ред. Р. Ш. Малкович. - СПб : Наука, 2003. - 267,[1] с. : ил. ; 21 см. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 5-02-024988-2 : 54.00.
Модифицирование полупроводников пучками протонов / Козловский Виталий Васильевич; В. В. Козловский; Отв. ред. Р. Ш. Малкович. - СПб : Наука, 2003. - 267,[1] с. : ил. ; 21 см. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 5-02-024988-2 : 54.00.
Авторы: Козловский Виталий Васильевич, Малкович Р. Ш.
Шифры: З843.3 - К59
Ключевые слова: Модифицирование полупроводников, Модифицирование пучками протонов, Полупроводники, Протоны, Пучки протонов, Радиационное модифицирование
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
4. Документ
Ю Питер.
Основы физики полупроводников / Ю Питер; Питер Ю, Мануэль Кардона; Пер. с англ. И. И. Решиной; Под ред. Б. П. Захарчени. - Москва : Физматлит, 2002. - 560 с. : ил. - Перевод изд.: Fundamentals of semiconductors / Peter Y. Yu, Manuel Cardona (2002). - Библиогр.: с.509-541. - Предм. указ.: с.542-560. - ISBN 5-9221-0268-0 : 220.00.
Основы физики полупроводников / Ю Питер; Питер Ю, Мануэль Кардона; Пер. с англ. И. И. Решиной; Под ред. Б. П. Захарчени. - Москва : Физматлит, 2002. - 560 с. : ил. - Перевод изд.: Fundamentals of semiconductors / Peter Y. Yu, Manuel Cardona (2002). - Библиогр.: с.509-541. - Предм. указ.: с.542-560. - ISBN 5-9221-0268-0 : 220.00.
Авторы: Ю Питер, Кардона Мануэль, Решина И. И., Захарченя Б. П.
Шифры: В379.2 - Ю11
Ключевые слова: Полупроводники, Физика полупроводников
Экземпляры: Всего: 12, из них: к3-12
Подробнее
5. Документ
Васильев Альберт Васильевич.
Дефектно-примесные реакции в полупроводниках / Васильев Альберт Васильевич; А. А. Васильев, А. И. Баранов ; отв. ред. В. Н. Овсюк ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск : РАН, 2001. - 255 с. - ISBN 5-7692-0428-1 : 75.00.
Дефектно-примесные реакции в полупроводниках / Васильев Альберт Васильевич; А. А. Васильев, А. И. Баранов ; отв. ред. В. Н. Овсюк ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск : РАН, 2001. - 255 с. - ISBN 5-7692-0428-1 : 75.00.
Авторы: Васильев Альберт Васильевич, Баранов Александр Иванович, Овсюк В. Н.
Шифры: В379.2 - В19
Ключевые слова: Дефектно-примесные реакции, Дефекты полупроводников, Полупроводники, Примеси в полупроводниках, Реакции в полупроводниках, Физика полупроводников
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
6. Документ
Yu Peter Y.
Fundamentals of semiconductors : Physics a. materials properties / Yu Peter Y.; Peter Y. Yu, Manuel Cardona. - Berlin etc. : Springer, 1996. - XIV,617 p. : ill. - Bibliogr.: p.567-598. - ISBN 3-540-61461-3 : 217.10.
Fundamentals of semiconductors : Physics a. materials properties / Yu Peter Y.; Peter Y. Yu, Manuel Cardona. - Berlin etc. : Springer, 1996. - XIV,617 p. : ill. - Bibliogr.: p.567-598. - ISBN 3-540-61461-3 : 217.10.
Авторы: Yu Peter Y., Cardona Manuel
Шифры: В379.2 - Y91
Ключевые слова: Полупроводниковые материалы, Полупроводники, Физика полупроводников
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
7. Документ
Semiconductors - Basic data / Otfried Madelung (ed.). - 2nd rev. ed. - Berlin etc. : Springer, 1996. - [8],317 p. : ill. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 3-540-60883-4 : 244.90.
Шифры: В379.2 - S46
Ключевые слова: Полупроводники
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
8. Документ
Sapoval B.
Physics of semiconductors / B. Sapoval; B. Sapoval, C. Hermann. - New York etc. : Springer, 1995. - IX,319 p. : ill. - Bibliogr.:p.305. - ISBN 0-387-94024-3 : 239.40.
Physics of semiconductors / B. Sapoval; B. Sapoval, C. Hermann. - New York etc. : Springer, 1995. - IX,319 p. : ill. - Bibliogr.:p.305. - ISBN 0-387-94024-3 : 239.40.
Авторы: Sapoval B., Hermann C.
Шифры: В379.2 - S21
Ключевые слова: Полупроводники, Физика полупроводников
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
9. Документ
Moench Winfried.
Semiconductor surfaces and interfaces / Moench Winfried; W. Moench. - 2nd ed. - Berlin etc. : Springer, 1995. - XV,442 p. : ill. - Bibliogr.: p. 403-431. - ISBN 3-540-58625-3 : 261.65.
Semiconductor surfaces and interfaces / Moench Winfried; W. Moench. - 2nd ed. - Berlin etc. : Springer, 1995. - XV,442 p. : ill. - Bibliogr.: p. 403-431. - ISBN 3-540-58625-3 : 261.65.
Шифры: В379.2 - М81
Ключевые слова: Полупроводники, Физика полупроводников
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
10. Документ
Комлякова Нина Сергеевна.
Избранные вопросы физики полупроводников в курсе средней школы : Метод. разраб. по специализации для студентов пед. отд-ния физ. фак. / Комлякова Нина Сергеевна; Твер. гос. ун-т. Каф. физики сегнетоэлектриков и пьезоэлектриков; Сост. Н. С. Комлякова. - Тверь : Тверской государственный университет, 1992. - 16 с. : ил. - 7.00.
Избранные вопросы физики полупроводников в курсе средней школы : Метод. разраб. по специализации для студентов пед. отд-ния физ. фак. / Комлякова Нина Сергеевна; Твер. гос. ун-т. Каф. физики сегнетоэлектриков и пьезоэлектриков; Сост. Н. С. Комлякова. - Тверь : Тверской государственный университет, 1992. - 16 с. : ил. - 7.00.
Шифры: В379.2 - К63
Ключевые слова: Физика полупроводников, Полупроводники, Учебники, Методика, Труды Тверского государственного университета
Экземпляры: Всего: 2, из них: к3-2
Подробнее
11. Документ
Саморуков Борис Егорович.
Свойства полупроводников : Учеб. пособие / Саморуков Борис Егорович; Б.Е. Саморуков; Санкт-Петербург. гос. техн. ун-т. - СПб., 1992. - 88 с. : ил., табл. - Библиогр.:с. 86-87. - Библиогр.: с.86-87. - 10.00.
Свойства полупроводников : Учеб. пособие / Саморуков Борис Егорович; Б.Е. Саморуков; Санкт-Петербург. гос. техн. ун-т. - СПб., 1992. - 88 с. : ил., табл. - Библиогр.:с. 86-87. - Библиогр.: с.86-87. - 10.00.
Шифры: В379.2 - С17
Ключевые слова: Физика полупроводников, Химия полупроводников, Учебники
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
12. Документ
Джафаров Таяр Джумшуд оглы.
Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках / Джафаров Таяр Джумшуд оглы; Т. Д. Джафаров. - Москва : Энергоатомиздат, 1991. - 287 с. : ил. ; 21 см. - Библиогр.: с. 279-286. - ISBN 5-283-03998-6 : 3.30.
Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках / Джафаров Таяр Джумшуд оглы; Т. Д. Джафаров. - Москва : Энергоатомиздат, 1991. - 287 с. : ил. ; 21 см. - Библиогр.: с. 279-286. - ISBN 5-283-03998-6 : 3.30.
Шифры: В379.2 - Д40
Ключевые слова: Полупроводники, Радиационно-стимулированная диффузия, Диффузия в полупроводниках
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
13. Документ
Меден Арун.
Физика и применение аморфных полупроводников / Меден Арун; А. Меден, М. Шо ; Пер. с англ. С. А. Костылева. - Москва : Мир, 1991. - 670 с. : ил. ; 22 см. - Перевод изд.: The physics and applications of amorphous semiconductors / Arun Madan, Melvin P. Shaw (Boston etc.). - Библиогр.: с. 622-660 (828 назв.). - Предм. указ.: с. 661-667. - ISBN 5-03-001895-6 (в пер.) : 5.90.
Физика и применение аморфных полупроводников / Меден Арун; А. Меден, М. Шо ; Пер. с англ. С. А. Костылева. - Москва : Мир, 1991. - 670 с. : ил. ; 22 см. - Перевод изд.: The physics and applications of amorphous semiconductors / Arun Madan, Melvin P. Shaw (Boston etc.). - Библиогр.: с. 622-660 (828 назв.). - Предм. указ.: с. 661-667. - ISBN 5-03-001895-6 (в пер.) : 5.90.
Авторы: Меден Арун, Шо Мелвин, Костылев С. А.
Шифры: В379.2 - М42
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
14. Документ
Дефекты структуры в ионно-имплантированном кремнии / Ф. Ф. Комаров, А. П. Новиков, В. С. Соловьев, С. Ю. Ширяев. - Минск : Университетское, 1990. - 318,[1] с., [8] л. ил. : ил. ; 22 см. - Рез.: англ. - Библиогр.: с. 293-318 (697 назв.). - ISBN 5-7855-0192-9 (в пер.) : 3.00.
Авторы: Комаров Фадей Фадеевич, Новиков А. П., Соловьев В. С., Ширяев С. Ю.
Шифры: В379.2 - Д39
Ключевые слова: Дефекты кремния, Ионная имплантация, Ионное внедрение, Ионное легирование, Ионно-имплантированный кремний, Кремний, Структура кремния
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
15. Документ
Бехштедт Фридхельм.
Поверхности и границы раздела полупроводников / Бехштедт Фридхельм, Эндерлайн Рольф; Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн; Пер. с англ. под ред. И.П. Звягина. - Москва : Мир, 1990. - 484 с. : ил. ; 22 см. - Перевод изд.: Semiconductor surfaces and interfaces / By Friedhelm Bechstedt, Rolf Enderlein (Berlin, 1988). - Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 476-479. - ISBN 5-03-001469-1 (в пер.) : 5.20.
Поверхности и границы раздела полупроводников / Бехштедт Фридхельм, Эндерлайн Рольф; Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн; Пер. с англ. под ред. И.П. Звягина. - Москва : Мир, 1990. - 484 с. : ил. ; 22 см. - Перевод изд.: Semiconductor surfaces and interfaces / By Friedhelm Bechstedt, Rolf Enderlein (Berlin, 1988). - Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 476-479. - ISBN 5-03-001469-1 (в пер.) : 5.20.
Авторы: Бехштедт Фридхельм, Эндерлайн Рольф, Звягин И. П.
Шифры: В379.2 - Б55
Ключевые слова: Полупроводники, Поверхностные свойства полупроводников, Гетеропереходы
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
16. Документ
Физика и химия редкоземельных полупроводников : Сб. науч. тр. / АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т неорган. химии; Отв. ред. К. Е. Миронов. - Новосибирск : Наука. Сиб. отд-ние, 1990. - 199 с. : ил. ; 22 см. - Библиогр. в конце ст. - Указ. авт. и предм.: с.184-188. - ISBN 5-02-028685-0 : 2.60.
Шифры: В379.2 - Ф50
Ключевые слова: Полупроводники, Редкоземельные полупроводники, Редкоземельные элементы, Физика полупроводников, Химия полупроводников
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
17. Книга
Мавлонов Шараф М.
Физикохимия сегрегационных явлений при кристаллизации полупроводников / Мавлонов Шараф М.; Ш. Мавлонов; отв. ред. Р. А. Кариева; Физ.-техн. ин-т им. С. У. Умарова АН ТаджССР. - Душанбе : Дониш, 1990. - 154,[3] с. : ил., табл. ; 20 см. - Библиогр.: с. 138-154. - ISBN 5-8366-0095-3 : 1.90.
Физикохимия сегрегационных явлений при кристаллизации полупроводников / Мавлонов Шараф М.; Ш. Мавлонов; отв. ред. Р. А. Кариева; Физ.-техн. ин-т им. С. У. Умарова АН ТаджССР. - Душанбе : Дониш, 1990. - 154,[3] с. : ил., табл. ; 20 см. - Библиогр.: с. 138-154. - ISBN 5-8366-0095-3 : 1.90.
Авторы: Мавлонов Шараф М., Мавлонов Шараф М., Кариева Р. А.
Шифры: З843.3 - М12
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
18. Документ
Подпороговые радиационные эффекты в полупроводниках / [М. С. Юнусов, С. Н. Абдурахманова, М. А. Зайковская и др.; Отв. ред. М. С. Юнусов, Л. П. Хизниченко]; АН УзССР, Ин-т ядер. физики. - Ташкент : Фан, 1989. - 222 с. : ил. ; 22 см. - Авт. указаны на обороте тит. л. - Библиогр.: с. 211-221. - ISBN 5-648-00075-8 (в пер.) : 3.20.
Авторы: Юнусов Махамаджан Сабирович, Абдурахманова С. Н., Зайковская М. А., Хизниченко Л. П.
Шифры: В379.2 - П44
Ключевые слова: Полупроводники, Радиационные эффекты в полупроводниках
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
19. Книга
Херман Мариан А.
Полупроводниковые сверхрешетки / Херман Мариан А.; пер. с англ. д.ф.-м.н. А. Я. Шика. - Москва : Мир, 1989. - 238, [2] с. : ил. - Перевод изд.: Semiconductor Superlattices. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 5-03-001015-7 : 70.00.
Полупроводниковые сверхрешетки / Херман Мариан А.; пер. с англ. д.ф.-м.н. А. Я. Шика. - Москва : Мир, 1989. - 238, [2] с. : ил. - Перевод изд.: Semiconductor Superlattices. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 5-03-001015-7 : 70.00.
Авторы: Херман Мариан А., Шик, Александр Яковлевич
Шифры: В379.2 - Х 39
Ключевые слова: Гетероструктуры, Многослойные полупроводниковые микроструктуры, Многослойные структуры, Молекулярно-лучевая эпитаксия, Полупроводники, Полупроводниковые микроструктуры, Полупроводниковые сверхрешетки, Рост из газовой фазы, Сверхрешетки (физ.), Технология полупроводников, Физика полупроводников
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее
Аннотация: Книга польского ученого М. Хермана представляет собой введение в новую область физики полупроводников – физику многослойных полупроводниковых микроструктур, так называемых сверхрешеток, нашедших важное применение в пикосекундной полупроводниковой электронике. Рассматривается электропроводность сверхрешеток, обсуждаются перспективы их применения, а так же технологии изготовления и результаты экспериментальных исследований. Книга содержит достаточно полное изложение проблемы и может служить справочным и учебным пособием.
20. Документ
Гончаров Евгений Григорьевич.
Полупроводниковые фосфиды и арсениды кремния и германия / Гончаров Евгений Григорьевич; Е. Г. Гончаров. - Воронеж : Изд-во Воронеж. ун-та, 1989. - 206,[1] с. : ил. ; 20 см. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 5-7455-0134-0 : 2.00.
Полупроводниковые фосфиды и арсениды кремния и германия / Гончаров Евгений Григорьевич; Е. Г. Гончаров. - Воронеж : Изд-во Воронеж. ун-та, 1989. - 206,[1] с. : ил. ; 20 см. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 5-7455-0134-0 : 2.00.
Шифры: З843.2 - Г65
Экземпляры: Всего: 1, из них: к3-1
Подробнее